Oberflächenmontage P-Kanal 20V 12A 30 mOhms @ 5.9A, 4.5V 1200pF @ 10V 19W Band und Spule (Tape and Reel - TR) 38nC @ 8V SC-70-6 Einzelhalbleiterprodukte

MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6 - SIA411DJ-T1-E3

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Digi-Key Teilenummer SIA411DJ-T1-E3TR-ND
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Hersteller-TeilenummerSIA411DJ-T1-E3
BeschreibungMOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
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Oberflächenmontage P-Kanal 20V 12A 30 mOhms @ 5.9A, 4.5V 1200pF @ 10V 19W Band und Spule (Tape and Reel - TR) 38nC @ 8V SC-70-6
Technische InformationSIA411DJ-T1-E3
HerstellerVishay/Siliconix
KategorieEinzelhalbleiterprodukte
MontagetypOberflächenmontage
Typ FETP-Kanal
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss)20V
Strom – Kontinuierlicher Drain (Id) @ 25 °C12A
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C30 mOhms @ 5.9A, 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) @ Vds1200pF @ 10V
Leistung - max.19W
VerpackungBand und Spule (Tape and Reel - TR)
Gateaufladung (Qg) @ Vgs38nC @ 8V
Verpackung / BehälterSC-70-6
Bleifreier StatusLead Free
RoHS StatusRoHS Compliant
Andere Namen SIA411DJ T1 E3
SIA411DJT1E3
SIA411DJ T1 E3TR ND
SIA411DJT1E3TRND
SIA411DJ-T1-E3TR
Image of MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6 - SIA411DJ-T1-E3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6 - SIA411DJ-T1-E3
(SIA411DJ-T1-E3TR-ND)

MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6 - SIA411DJ-T1-E3 (SIA411DJ-T1-E3TR-ND)


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