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Digi-Key Teilenummer SI7459DP-T1-E3CT-ND
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Hersteller-Teilenummer SI7459DP-T1-E3 Beschreibung MOSFET P-CH 30V POWERPAK 8-SOIC
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Oberflächenmontage P-Kanal 30V 13A 6.8 mOhms @ 22A, 10V 1,9W Am Band (Cut Tape - CT) 170nC @ 10V 8-SOIC
Technische Information SI7459DP-T1-E3 Hersteller Vishay/Siliconix (VA) Kategorie Einzelhalbleiterprodukte Montagetyp Oberflächenmontage Typ FET P-Kanal Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 30V Strom – Kontinuierlicher Drain (Id) @ 25 °C 13A Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 6.8 mOhms @ 22A, 10V Eingangskapazität (Ciss) @ Vds - Leistung - max. 1,9W Verpackung Am Band (Cut Tape - CT) Gateaufladung (Qg) @ Vgs 170nC @ 10V Verpackung / Behälter 8-SOIC Bleifreier Status Lead Free RoHS Status RoHS Compliant
Andere Namen
SI7459DP T1 E3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
MOSFET P-CH 30V POWERPAK 8-SOIC - SI7459DP-T1-E3
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