Oberflächenmontage P-Kanal 40V 3,3A 54 mOhms @ 4,5A, 10V 805pF @ 20V 1,1W Digi-Reel® 14nC @ 4,5V 8-SOIC Einzelhalbleiterprodukte

MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC - SI4447DY-T1-E3 - Einzelhalbleiterprodukte

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Digi-Key Teilenummer SI4447DY-T1-E3DKR-ND
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Hersteller-TeilenummerSI4447DY-T1-E3
BeschreibungMOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC
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Oberflächenmontage P-Kanal 40V 3,3A 54 mOhms @ 4,5A, 10V 805pF @ 20V 1,1W Digi-Reel® 14nC @ 4,5V 8-SOIC
Technische InformationSI4447DY-T1-E3
HerstellerVishay/Siliconix (VA)
KategorieEinzelhalbleiterprodukte
MontagetypOberflächenmontage
Typ FETP-Kanal
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss)40V
Strom – Kontinuierlicher Drain (Id) @ 25 °C3,3A
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C54 mOhms @ 4,5A, 10V
Eingangskapazität (Ciss) @ Vds805pF @ 20V
Leistung - max.1,1W
VerpackungDigi-Reel®
Gateaufladung (Qg) @ Vgs14nC @ 4,5V
Verpackung / Behälter8-SOIC
Bleifreier StatusLead Free
RoHS StatusRoHS Compliant
Andere Namen SI4447DY T1 E3
SI4447DYT1E3
SI4447DY T1 E3DKR ND
SI4447DYT1E3DKRND
SI4447DY-T1-E3DKR
Image of MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC - SI4447DY-T1-E3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC - SI4447DY-T1-E3
(SI4447DY-T1-E3DKR-ND) - Einzelhalbleiterprodukte

MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC - SI4447DY-T1-E3 (SI4447DY-T1-E3DKR-ND) - Einzelhalbleiterprodukte


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