All prices are in EUR .
Digi-Key Teilenummer
SI4447DY-T1-E3DKR-ND
Preisreduzierung
Einheitspreis
Gesamtpreis
Hersteller-Teilenummer SI4447DY-T1-E3
Beschreibung MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC
Verfügbare Menge
JavaScript muss aktiviert sein, um aktuelle Preise und verfügbare Mengen ansehen zu können. Die angegebenen Werte sind nur vorläufig.
Non-Stock
Wenn die angeforderte Menge die in der Preistabelle angezeigten Mengen überschreitet, erscheint auf Ihrer Bestellung u.U. ein geringerer Einheitspreis. Sie können ein Preisangebot für Mengen anfordern, die höher sind als die in der Preistabelle angegeben Mengen.
Oberflächenmontage P-Kanal 40V 3,3A 54 mOhms @ 4,5A, 10V 805pF @ 20V 1,1W Digi-Reel® 14nC @ 4,5V 8-SOIC
Technische Information SI4447DY-T1-E3
Hersteller Vishay/Siliconix (VA)
Kategorie Einzelhalbleiterprodukte
Montagetyp Oberflächenmontage Typ FET P-Kanal Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 40V Strom – Kontinuierlicher Drain (Id) @ 25 °C 3,3A Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 54 mOhms @ 4,5A, 10V Eingangskapazität (Ciss) @ Vds 805pF @ 20V Leistung - max. 1,1W Verpackung Digi-Reel® Gateaufladung (Qg) @ Vgs 14nC @ 4,5V Verpackung / Behälter 8-SOIC
Bleifreier Status Lead Free
RoHS Status RoHS Compliant
Andere Namen
SI4447DY T1 E3
SI4447DYT1E3
SI4447DY T1 E3DKR ND
SI4447DYT1E3DKRND
SI4447DY-T1-E3DKR
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC - SI4447DY-T1-E3 (SI4447DY-T1-E3DKR-ND) - Einzelhalbleiterprodukte