Oberflächenmontage P-Kanal 55V 19A 100 mOhms @ 10A, 10V 620pF @ 25V 3,8W Am Band (Cut Tape - CT) 35nC @ 10V D² Pak (SMD-220, TO-263) Einzelhalbleiterprodukte

MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK - IRF9Z34NSTRLPBF

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Digi-Key Teilenummer IRF9Z34NSTRLPBFCT-ND
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Hersteller-TeilenummerIRF9Z34NSTRLPBF
BeschreibungMOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
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Oberflächenmontage P-Kanal 55V 19A 100 mOhms @ 10A, 10V 620pF @ 25V 3,8W Am Band (Cut Tape - CT) 35nC @ 10V D² Pak (SMD-220, TO-263)
Technische InformationIRF9Z34NSTRLPBF
HerstellerInternational Rectifier (VA)
KategorieEinzelhalbleiterprodukte
MontagetypOberflächenmontage
Typ FETP-Kanal
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss)55V
Strom – Kontinuierlicher Drain (Id) @ 25 °C19A
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C100 mOhms @ 10A, 10V
Eingangskapazität (Ciss) @ Vds620pF @ 25V
Leistung - max.3,8W
VerpackungAm Band (Cut Tape - CT)
Gateaufladung (Qg) @ Vgs35nC @ 10V
Verpackung / BehälterD² Pak (SMD-220, TO-263)
Bleifreier StatusLead Free
RoHS StatusRoHS Compliant
Andere Namen IRF9Z34NSTRLPBF
IRF9Z34NSTRLPBF
IRF9Z34NSTRLPBFCT ND
IRF9Z34NSTRLPBFCTND
IRF9Z34NSTRLPBFCT
Image of MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK - IRF9Z34NSTRLPBF
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK - IRF9Z34NSTRLPBF
(IRF9Z34NSTRLPBFCT-ND)

MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK - IRF9Z34NSTRLPBF (IRF9Z34NSTRLPBFCT-ND)


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