Oberflächenmontage P-Kanal 55V 3,4A 105 mOhms @ 3,4A, 10V 690pF @ 25V 2W Masse 38nC @ 10V 8-SOIC Einzelhalbleiterprodukte

MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC - IRF7342D2PBF - Einzelhalbleiterprodukte

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IRF7342D2PBF-ND

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IRF7342D2PBF

Beschreibung

MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC

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Oberflächenmontage P-Kanal 55V 3,4A 105 mOhms @ 3,4A, 10V 690pF @ 25V 2W Masse 38nC @ 10V 8-SOIC

Technische Information	IRF7342D2PBF
Hersteller	International Rectifier
Kategorie	Einzelhalbleiterprodukte
Montagetyp	Oberflächenmontage
Typ FET	P-Kanal
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss)	55V
Strom – Kontinuierlicher Drain (Id) @ 25 °C	3,4A
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C	105 mOhms @ 3,4A, 10V
Eingangskapazität (Ciss) @ Vds	690pF @ 25V
Leistung - max.	2W
Verpackung	Masse
Gateaufladung (Qg) @ Vgs	38nC @ 10V
Verpackung / Behälter	8-SOIC
Bleifreier Status	Lead Free
RoHS Status	RoHS Compliant
Andere Namen	IRF7342D2PBF IRF7342D2PBF

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MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC - IRF7342D2PBF
(IRF7342D2PBF-ND) - Einzelhalbleiterprodukte

Oberflächenmontage P-Kanal 55V 3,4A 105 mOhms @ 3,4A, 10V 690pF @ 25V 2W Masse 38nC @ 10V 8-SOIC Einzelhalbleiterprodukte

MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC - IRF7342D2PBF - Einzelhalbleiterprodukte

MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC - IRF7342D2PBF (IRF7342D2PBF-ND) - Einzelhalbleiterprodukte