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Digi-Key Teilenummer FQI8N60CTU-ND
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Hersteller-Teilenummer FQI8N60CTU Beschreibung MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK
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Durchgangsloch N-Kanal 600V 7,5A 1,2 Ohms @ 3,75A, 10V 1255pF @ 25V 3,13W 36nC @ 10V I² PAK
Technische Information FQI8N60CTU Hersteller Fairchild Semiconductor Kategorie Einzelhalbleiterprodukte Montagetyp Durchgangsloch Typ FET N-Kanal Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 600V Strom – Kontinuierlicher Drain (Id) @ 25 °C 7,5A Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 1,2 Ohms @ 3,75A, 10V Eingangskapazität (Ciss) @ Vds 1255pF @ 25V Leistung - max. 3,13W Verpackung Rohr Gateaufladung (Qg) @ Vgs 36nC @ 10V Verpackung / Behälter I² PAK Bleifreier Status Lead Free RoHS Status RoHS Compliant
Andere Namen
FQI8N60CTU
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK - FQI8N60CTU
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