Oberflächenmontage P-Kanal 60V 80A 23 mOhms @ 64A, 10V 5190pF @ 25V 375W Band und Spule (Tape and Reel - TR) 153nC @ 10V TO-263 Einzelhalbleiterprodukte

MOSFET P-CH 60V 80A TO-263 - SPB80P06P G - Einzelhalbleiterprodukte

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Digi-Key Teilenummer SPB80P06PGINTR-ND
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Hersteller-TeilenummerSPB80P06P G
BeschreibungMOSFET P-CH 60V 80A TO-263
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Oberflächenmontage P-Kanal 60V 80A 23 mOhms @ 64A, 10V 5190pF @ 25V 375W Band und Spule (Tape and Reel - TR) 153nC @ 10V TO-263
Technische InformationSPB80P06P G
HerstellerInfineon Technologies
KategorieEinzelhalbleiterprodukte
MontagetypOberflächenmontage
Typ FETP-Kanal
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss)60V
Strom – Kontinuierlicher Drain (Id) @ 25 °C80A
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C23 mOhms @ 64A, 10V
Eingangskapazität (Ciss) @ Vds5190pF @ 25V
Leistung - max.375W
VerpackungBand und Spule (Tape and Reel - TR)
Gateaufladung (Qg) @ Vgs153nC @ 10V
Verpackung / BehälterTO-263
Bleifreier StatusLead Free
RoHS StatusRoHS Compliant
Andere Namen SPB80P06P G
SPB80P06P G
SPB80P06PGINTR ND
SPB80P06PGINTRND
SPB80P06PGINTR
Image of MOSFET P-CH 60V 80A TO-263 - SPB80P06P G
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MOSFET P-CH 60V 80A TO-263 - SPB80P06P G
(SPB80P06PGINTR-ND) - Einzelhalbleiterprodukte

MOSFET P-CH 60V 80A TO-263 - SPB80P06P G (SPB80P06PGINTR-ND) - Einzelhalbleiterprodukte


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